Tillverkare Produktnummer:
SIR638DP-T1-RE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIR638DP-T1-RE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventarier:
12786074
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIR638DP-T1-RE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
40 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
0.88mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
204 nC @ 10 V
Vgs (max)
+20V, -16V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
10500 pF @ 20 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
104W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SO-8
Paket / Fodral
PowerPAK® SO-8
Grundläggande produktnummer
SIR638
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
SIR638DP-T1-GE3
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
3065
DEL NUMMER
SIR638DP-T1-GE3-DG
ENHETSPRIS
0.62
Ersättnings typ
Parametric Equivalent
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SIHG16N50C-E3
MOSFET N-CH 500V 16A TO247AC
SQJQ402E-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
SISH101DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 16.9A/35A PPAK
