SIR5102DP-T1-RE3
Tillverkare Produktnummer:

SIR5102DP-T1-RE3

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SIR5102DP-T1-RE3-DG

Beskrivning:

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 27A (Ta), 110A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventarier:

5853 Pcs Ny Original I Lager
12964722
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

SIR5102DP-T1-RE3 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen V
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
27A (Ta), 110A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
7.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
4.1mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2850 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SO-8
Paket / Fodral
PowerPAK® SO-8

Datablad och dokument

Datablad
SIR5102DP

Ytterligare information

Standard-paket
3,000
Andra namn
742-SIR5102DP-T1-RE3CT
742-SIR5102DP-T1-RE3DKR
742-SIR5102DP-T1-RE3TR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
vishay-siliconix

SI1405BDH-T1-GE3

MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6

vishay-siliconix

SIJH800E-T1-GE3

N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

panjit

PJC7438_R1_00001

SOT-323, MOSFET

vishay-siliconix

SQJ180EP-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)