SIJH800E-T1-GE3
Tillverkare Produktnummer:

SIJH800E-T1-GE3

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SIJH800E-T1-GE3-DG

Beskrivning:

N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 80 V 29A (Ta), 299A (Tc) 3.3W (Ta), 333W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8

Inventarier:

2396 Pcs Ny Original I Lager
12964733
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

SIJH800E-T1-GE3 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
80 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
29A (Ta), 299A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
7.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
1.55mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
210 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
10230 pF @ 40 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.3W (Ta), 333W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® 8 x 8
Paket / Fodral
PowerPAK® 8 x 8

Datablad och dokument

Datablad
SIJH800E
Datasheets
SIJH800E-T1-GE3
HTML-Datasheet
SIJH800E-T1-GE3-DG

Ytterligare information

Standard-paket
2,000
Andra namn
742-SIJH800E-T1-GE3TR
742-SIJH800E-T1-GE3CT
742-SIJH800E-T1-GE3DKR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
panjit

PJC7438_R1_00001

SOT-323, MOSFET

vishay-siliconix

SQJ180EP-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)

onsemi

FDT4N50NZU

POWER MOSFET, N-CHANNEL, UNIFETI

panjit

PJA3411_R1_00001

SOT-23, MOSFET