Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
SIHP28N65EF-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIHP28N65EF-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 28A TO220AB
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 28A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventarier:
Förfrågan Online
12786576
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIHP28N65EF-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
117mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
146 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3249 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
250W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220AB
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
SIHP28
Datablad och dokument
Datablad
SIHP28N65EF
Datasheets
SIHP28N65EF-GE3
HTML-Datasheet
SIHP28N65EF-GE3-DG
Ytterligare information
Standard-paket
50
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
FCP099N60E
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
390
DEL NUMMER
FCP099N60E-DG
ENHETSPRIS
2.76
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
IPP60R099CPXKSA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1235
DEL NUMMER
IPP60R099CPXKSA1-DG
ENHETSPRIS
4.08
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
TK25E60X,S1X
Tillverkare
Toshiba Semiconductor and Storage
ANTAL TILLGÄNGLIGT
13
DEL NUMMER
TK25E60X,S1X-DG
ENHETSPRIS
1.80
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
STP40N65M2
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
37
DEL NUMMER
STP40N65M2-DG
ENHETSPRIS
2.57
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SUM110P06-07L-E3
MOSFET P-CH 60V 110A TO263
SIHP25N60EFL-GE3
MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB
SIDR622DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 64.6A PPAK
SIHF30N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 29A TO220