Tillverkare Produktnummer:
TK25E60X,S1X
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
TK25E60X,S1X-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 25A TO220
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 25A (Ta) 180W (Tc) Through Hole TO-220
Inventarier:
13 Pcs Ny Original I Lager
12890046
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TK25E60X,S1X Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tube
Serie
DTMOSIV-H
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
25A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
125mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1.2mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2400 pF @ 300 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
180W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
TK25E60
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
TK25E60X,S1X(S
TK25E60XS1X
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IPP65R125C7XKSA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
470
DEL NUMMER
IPP65R125C7XKSA1-DG
ENHETSPRIS
2.09
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
STP33N60M2
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
727
DEL NUMMER
STP33N60M2-DG
ENHETSPRIS
2.08
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SSM3K310T(TE85L,F)
MOSFET N-CH 20V 5A TSM
TPN4R303NL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 40A 8TSON
2SK3670(T6CANO,F,M
MOSFET N-CH TO92MOD
