SIHG080N60E-GE3
Tillverkare Produktnummer:

SIHG080N60E-GE3

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SIHG080N60E-GE3-DG

Beskrivning:

E SERIES POWER MOSFET TO-247AC,
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 35A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247AC

Inventarier:

304 Pcs Ny Original I Lager
12950358
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

SIHG080N60E-GE3 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tube
Serie
E
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
80mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2557 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
227W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247AC
Paket / Fodral
TO-247-3

Datablad och dokument

Datablad
SIHG080N60E
Datasheets
SIHG080N60E-GE3
HTML-Datasheet
SIHG080N60E-GE3-DG

Ytterligare information

Standard-paket
25
Andra namn
742-SIHG080N60E-GE3

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
Not Applicable
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
vishay-siliconix

SIHH080N60E-T1-GE3

E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8

vishay-siliconix

SIS176LDN-T1-GE3

N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE

vishay-siliconix

SIR510DP-T1-RE3

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW

vishay-siliconix

SISH536DN-T1-GE3

N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE