Tillverkare Produktnummer:
SIHH080N60E-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIHH080N60E-T1-GE3-DG
Beskrivning:
E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 32A (Tc) 184W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Inventarier:
3157 Pcs Ny Original I Lager
12950359
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIHH080N60E-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
E
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
80mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2557 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
184W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® 8 x 8
Paket / Fodral
8-PowerTDFN
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
742-SIHH080N60E-T1-GE3DKR
742-SIHH080N60E-T1-GE3CT
742-SIHH080N60E-T1-GE3TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SIS176LDN-T1-GE3
N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
SIR510DP-T1-RE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
SISH536DN-T1-GE3
N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
