Tillverkare Produktnummer:
SIHA2N80E-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIHA2N80E-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 800 V 2.8A (Tc) 29W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Inventarier:
25 Pcs Ny Original I Lager
12786419
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIHA2N80E-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
E
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
800 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
2.75Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
19.6 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
315 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
29W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220 Full Pack
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack
Grundläggande produktnummer
SIHA2
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
SIHA2N80E-GE3DKRINACTIVE
SIHA2N80E-GE3DKR-DG
SIHA2N80E-GE3CT
SIHA2N80E-GE3TR
SIHA2N80E-GE3DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SQS401EN-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
SQJQ480E-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 150A PPAK 8 X 8
SIE822DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 50A 10POLARPAK
