Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
SQS401EN-T1_GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SQS401EN-T1_GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 40 V 16A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventarier:
Förfrågan Online
12786424
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SQS401EN-T1_GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
40 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
29mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
21.2 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1875 pF @ 20 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
62.5W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® 1212-8
Paket / Fodral
PowerPAK® 1212-8
Grundläggande produktnummer
SQS401
Datablad och dokument
Datablad
SQS401EN
Datasheets
SQS401EN-T1_GE3
HTML-Datasheet
SQS401EN-T1_GE3-DG
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SQS401EN-T1_GE3DKR
SQS401EN-T1_GE3TR
SQS401EN-T1-GE3-DG
SQS401EN-T1_GE3CT
SQS401EN-T1-GE3
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
SQS411ENW-T1_GE3
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
5355
DEL NUMMER
SQS411ENW-T1_GE3-DG
ENHETSPRIS
0.27
Ersättnings typ
Direct
DELNUMMER
SQS401EN-T1_BE3
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
110817
DEL NUMMER
SQS401EN-T1_BE3-DG
ENHETSPRIS
0.32
Ersättnings typ
Parametric Equivalent
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SQJQ480E-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 150A PPAK 8 X 8
SIE822DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 50A 10POLARPAK
SIHG22N60AE-GE3
MOSFET N-CH 600V 20A TO247AC
SISA88DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16.2A/40.5A PPAK