Tillverkare Produktnummer:
SIF912EDZ-T1-E3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIF912EDZ-T1-E3-DG
Beskrivning:
MOSFET 2N-CH 30V 7.4A PPAK
Detaljerad beskrivning:
Mosfet Array 30V 7.4A 1.6W Surface Mount PowerPAK® (2x5)
Inventarier:
12915834
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIF912EDZ-T1-E3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, FET, MOSFET-arrayer
Tillverkare
Vishay
Förpackning
-
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Obsolete
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-funktion
Logic Level Gate
Tömning till källspänning (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7.4A
rds på (max) @ id, vgs
19mOhm @ 7.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 4.5V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Effekt - Max
1.6W
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
PowerPAK® 2x5
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® (2x5)
Grundläggande produktnummer
SIF912
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SIF912EDZ-T1-E3TR
SIF912EDZT1E3
SIF912EDZ-T1-E3CT
SIF912EDZ-T1-E3DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SQJQ960EL-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 60V 63A PPAK8X8
SQ9945AEY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC
SIZ720DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 16A 6POWERPAIR