SQJQ960EL-T1_GE3
Tillverkare Produktnummer:

SQJQ960EL-T1_GE3

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SQJQ960EL-T1_GE3-DG

Beskrivning:

MOSFET 2N-CH 60V 63A PPAK8X8
Detaljerad beskrivning:
Mosfet Array 60V 63A (Tc) 71W Surface Mount PowerPAK® 8 x 8 Dual

Inventarier:

4236 Pcs Ny Original I Lager
12915843
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

SQJQ960EL-T1_GE3 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, FET, MOSFET-arrayer
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-funktion
-
Tömning till källspänning (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
63A (Tc)
rds på (max) @ id, vgs
9mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 10V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1950pF @ 25V
Effekt - Max
71W
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
PowerPAK® 8 x 8 Dual
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® 8 x 8 Dual
Grundläggande produktnummer
SQJQ960

Datablad och dokument

Ytterligare information

Standard-paket
2,000
Andra namn
SQJQ960EL-T1_GE3TR
SQJQ960EL-T1_GE3CT
SQJQ960EL-T1_GE3DKR
SQJQ960EL-T1_GE3-DG

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
vishay-siliconix

SQ9945AEY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC

vishay-siliconix

SIZ720DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 16A 6POWERPAIR

vishay-siliconix

SI4910DY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8SOIC

vishay-siliconix

SIA911DJ-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6