Tillverkare Produktnummer:
SIA462DJ-T4-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIA462DJ-T4-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 12A/12A PPAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 12A (Ta), 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Inventarier:
12917707
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIA462DJ-T4-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
-
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Ta), 12A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
18mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
570 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SC-70-6
Paket / Fodral
PowerPAK® SC-70-6
Grundläggande produktnummer
SIA462
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SI5445BDC-T1-E3
MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8
SIHU3N50D-GE3
MOSFET N-CH 500V 3A TO251
SI7421DN-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 6.4A PPAK1212-8
