Tillverkare Produktnummer:
SI5445BDC-T1-E3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SI5445BDC-T1-E3-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 8 V 5.2A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Inventarier:
12917712
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SI5445BDC-T1-E3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
-
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
8 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.2A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
1.8V, 4.5V
rds på (max) @ id, vgs
33mOhm @ 5.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±8V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1.3W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
1206-8 ChipFET™
Paket / Fodral
8-SMD, Flat Lead
Grundläggande produktnummer
SI5445
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SI5445BDCT1E3
SI5445BDC-T1-E3DKR
SI5445BDC-T1-E3TR
SI5445BDC-T1-E3CT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SIHU3N50D-GE3
MOSFET N-CH 500V 3A TO251
SI7421DN-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 6.4A PPAK1212-8
SI2399DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
