Tillverkare Produktnummer:
NVMYS3D3N06CLTWG
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
NVMYS3D3N06CLTWG-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 60V 26A/133A 4LFPAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 26A (Ta), 133A (Tc) 3.9W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
Inventarier:
12917758
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
NVMYS3D3N06CLTWG Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
26A (Ta), 133A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
3mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
40.7 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2880 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.9W (Ta), 100W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
LFPAK4 (5x6)
Paket / Fodral
SOT-1023, 4-LFPAK
Grundläggande produktnummer
NVMYS3
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
NVMYS3D3N06CLTWGOS-DG
NVMYS3D3N06CLTWGOS
NVMYS3D3N06CLTWGOSDKR
NVMYS3D3N06CLTWGOSTR
NVMYS3D3N06CLTWGOSCT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
NTMYS3D3N06CLTWG
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
2015
DEL NUMMER
NTMYS3D3N06CLTWG-DG
ENHETSPRIS
2.56
Ersättnings typ
Parametric Equivalent
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SIR864DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
SIS447DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
SI2333DS-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
