Tillverkare Produktnummer:
SIA429DJT-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIA429DJT-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 20 V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Inventarier:
27360 Pcs Ny Original I Lager
12915042
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIA429DJT-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
20 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
1.5V, 4.5V
rds på (max) @ id, vgs
20.5mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
62 nC @ 8 V
Vgs (max)
±8V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1750 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SC-70-6
Paket / Fodral
PowerPAK® SC-70-6
Grundläggande produktnummer
SIA429
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SIA429DJT-T1-GE3DKR
SIA429DJT-T1-GE3TR
SIA429DJT-T1-GE3CT
SIA429DJTT1GE3
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SI4620DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 6A/7.5A 8SO
SI3442CDV-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
SI4158DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 36.5A 8SO
