Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
SI3442CDV-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SI3442CDV-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 20 V 8A (Tc) 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Inventarier:
Förfrågan Online
12915044
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SI3442CDV-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
-
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
20 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
2.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
27mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (max)
±12V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
335 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
6-TSOP
Paket / Fodral
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Grundläggande produktnummer
SI3442
Datablad och dokument
Datablad
Si3442CDV
Datasheets
SI3442CDV-T1-GE3
HTML-Datasheet
SI3442CDV-T1-GE3-DG
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SI3442CDV-T1-GE3DKR
SI3442CDV-T1-GE3TR
SI3442CDV-T1-GE3CT
SI3442CDVT1GE3
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
RQ6E045SNTR
Tillverkare
Rohm Semiconductor
ANTAL TILLGÄNGLIGT
2997
DEL NUMMER
RQ6E045SNTR-DG
ENHETSPRIS
0.19
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
FDC637AN
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
12361
DEL NUMMER
FDC637AN-DG
ENHETSPRIS
0.25
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
RQ6E060ATTCR
Tillverkare
Rohm Semiconductor
ANTAL TILLGÄNGLIGT
3776
DEL NUMMER
RQ6E060ATTCR-DG
ENHETSPRIS
0.24
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
STT5N2VH5
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
5800
DEL NUMMER
STT5N2VH5-DG
ENHETSPRIS
0.16
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
FDC637BNZ
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
216
DEL NUMMER
FDC637BNZ-DG
ENHETSPRIS
0.11
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SI4158DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 36.5A 8SO
SIA416DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 11.3A PPAK
IRLR024TRR
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
IRL520
MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB