Tillverkare Produktnummer:
SI4800BDY-T1-E3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SI4800BDY-T1-E3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 6.5A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventarier:
4805 Pcs Ny Original I Lager
12918549
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SI4800BDY-T1-E3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6.5A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
18.5mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 5 V
Vgs (max)
±25V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1.3W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-SOIC
Paket / Fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grundläggande produktnummer
SI4800
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
SI4800BDY-T1-E3CT
SI4800BDY-T1-E3TR
SI4800BDYT1E3
SI4800BDY-T1-E3DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH info available upon request
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SIJ458DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
SI4386DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
2SK4066-E
MOSFET N-CH 60V 100A SMP
