Tillverkare Produktnummer:
SIJ458DP-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIJ458DP-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 60A (Tc) 5W (Ta), 69.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventarier:
12918550
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIJ458DP-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
-
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
2.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4810 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
5W (Ta), 69.4W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SO-8
Paket / Fodral
PowerPAK® SO-8
Grundläggande produktnummer
SIJ458
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SIJ458DPT1GE3
SIJ458DP-T1-GE3TR
SIJ458DP-T1-GE3CT
SIJ458DP-T1-GE3DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
PSMN2R0-30YLE,115
Tillverkare
Nexperia USA Inc.
ANTAL TILLGÄNGLIGT
5499
DEL NUMMER
PSMN2R0-30YLE,115-DG
ENHETSPRIS
0.69
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
SI7658ADP-T1-GE3
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
3466
DEL NUMMER
SI7658ADP-T1-GE3-DG
ENHETSPRIS
1.19
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SI4386DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
2SK4066-E
MOSFET N-CH 60V 100A SMP
BUK764R0-75C,118
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
