Tillverkare Produktnummer:
SI3456DDV-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SI3456DDV-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 6.3A (Tc) 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Inventarier:
94714 Pcs Ny Original I Lager
12916204
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SI3456DDV-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6.3A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
40mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
325 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
6-TSOP
Paket / Fodral
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Grundläggande produktnummer
SI3456
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SI3456DDV-T1-GE3CT
SI3456DDV-T1-GE3DKR
SI3456DDV-T1-GE3TR
SI3456DDVT1GE3
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IXTH16N50D2
MOSFET N-CH 500V 16A TO247-3
SI7415DN-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8
SUD50N02-06P-E3
MOSFET N-CH 20V 50A TO252