IXTH16N50D2
Tillverkare Produktnummer:

IXTH16N50D2

Product Overview

Tillverkare:

IXYS

DiGi Electronics Delenummer:

IXTH16N50D2-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 500V 16A TO247-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 500 V 16A (Tc) 695W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

Inventarier:

291 Pcs Ny Original I Lager
12916206
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IXTH16N50D2 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Littelfuse
Förpackning
Tube
Serie
Depletion
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
500 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
0V
rds på (max) @ id, vgs
240mOhm @ 8A, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
199 nC @ 5 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5250 pF @ 25 V
FET-funktion
Depletion Mode
Effektförlust (max)
695W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247 (IXTH)
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
IXTH16

Datablad och dokument

Datablad
IXT(H,T)16N50D2
Datasheets
IXTH16N50D2
HTML-Datasheet
IXTH16N50D2-DG

Ytterligare information

Standard-paket
30

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
vishay-siliconix

SI7415DN-T1-E3

MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SUD50N02-06P-E3

MOSFET N-CH 20V 50A TO252

vishay-siliconix

SQD23N06-31L_GE3

MOSFET N-CH 60V 23A TO252

vishay-siliconix

SUM50010E-GE3

MOSFET N-CH 60V 150A TO263