Tillverkare Produktnummer:
SI1308EDL-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SI1308EDL-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 1.4A (Tc) 400mW (Ta), 500mW (Tc) Surface Mount SC-70-3
Inventarier:
45442 Pcs Ny Original I Lager
12917626
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SI1308EDL-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
2.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
132mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
4.1 nC @ 10 V
Vgs (max)
±12V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
105 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
400mW (Ta), 500mW (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
SC-70-3
Paket / Fodral
SC-70, SOT-323
Grundläggande produktnummer
SI1308
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SI1308EDL-T1-GE3DKR
SI1308EDL-T1-GE3TR
SI1308EDL-T1-GE3CT
SI1308EDL-T1-GE3-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SI2325DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3
SIHD3N50D-GE3
MOSFET N-CH 500V 3A TO252AA
SI4686DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 18.2A 8SO
