SI4686DY-T1-E3
Tillverkare Produktnummer:

SI4686DY-T1-E3

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SI4686DY-T1-E3-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 30V 18.2A 8SO
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 18.2A (Tc) 3W (Ta), 5.2W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Inventarier:

7223 Pcs Ny Original I Lager
12917632
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

SI4686DY-T1-E3 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
18.2A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
9.5mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1220 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3W (Ta), 5.2W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-SOIC
Paket / Fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grundläggande produktnummer
SI4686

Datablad och dokument

Datablad
Datasheets
HTML-Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
2,500
Andra namn
SI4686DY-T1-E3TR
SI4686DYT1E3
SI4686DY-T1-E3CT
SI4686DY-T1-E3DKR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH info available upon request
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
vishay-siliconix

SIS436DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8

vishay-siliconix

SI2323DDS-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23

vishay-siliconix

SI3474DV-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 3.8A 6TSOP

vishay-siliconix

SIA811DJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6