Tillverkare Produktnummer:
SI1078X-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SI1078X-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 1.02A (Tc) 240mW (Tc) Surface Mount
Inventarier:
5997 Pcs Ny Original I Lager
12959790
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SI1078X-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.02A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
2.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
142mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
3 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±12V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
110 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
240mW (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
SOT-563, SOT-666
Grundläggande produktnummer
SI1078
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SI1078X-T1-GE3TR
SI1078X-T1-GE3CT-DG
742-SI1078X-T1-GE3CT
SI1078X-T1-GE3DKR
742-SI1078X-T1-GE3DKR
SI1078X-T1-GE3TR-DG
SI1078X-T1-GE3DKR-DG
742-SI1078X-T1-GE3TR
SI1078X-T1-GE3CT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRFD020PBF
MOSFET N-CH 50V 2.4A 4DIP
SI7454CDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 22A PPAK SO-8
SI3410DV-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
