Tillverkare Produktnummer:
IRFD020PBF
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
IRFD020PBF-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 50V 2.4A 4DIP
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 50 V 2.4A (Tc) 1W (Tc) Through Hole 4-HVMDIP
Inventarier:
6607 Pcs Ny Original I Lager
12959792
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRFD020PBF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Bulk
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
50 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.4A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
100mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
400 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
4-HVMDIP
Paket / Fodral
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Grundläggande produktnummer
IRFD020
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
2266-IRFD020PBF
*IRFD020PBF
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SI7454CDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 22A PPAK SO-8
SI3410DV-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
IRFR420TR
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
