IRL620PBF-BE3
Tillverkare Produktnummer:

IRL620PBF-BE3

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

IRL620PBF-BE3-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 200 V 5.2A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventarier:

980 Pcs Ny Original I Lager
12945888
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IRL620PBF-BE3 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.2A (Tc)
rds på (max) @ id, vgs
800mOhm @ 3.1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 5 V
Vgs (max)
±10V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
360 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
50W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220AB
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IRL620

Ytterligare information

Standard-paket
50
Andra namn
742-IRL620PBF-BE3

Miljö- och exportklassificering

Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
stmicroelectronics

STP16NK65Z

MOSFET N-CH 650V 13A TO220AB

stmicroelectronics

STD2NK70ZT4

MOSFET N-CH 700V 1.6A DPAK

stmicroelectronics

STL190N4F7AG

MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT

rohm-semi

R8001CND3FRATL

MOSFET N-CH 800V 1A TO252