STP16NK65Z
Tillverkare Produktnummer:

STP16NK65Z

Product Overview

Tillverkare:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Delenummer:

STP16NK65Z-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 650V 13A TO220AB
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 13A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220

Inventarier:

12945890
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

STP16NK65Z Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
-
Serie
SuperMESH™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
500mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
89 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2750 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
190W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
STP16N

Ytterligare information

Standard-paket
50
Andra namn
497-4119-5-NDR
-497-4119-5
1805-STP16NK65Z
497-4119-5

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
stmicroelectronics

STD2NK70ZT4

MOSFET N-CH 700V 1.6A DPAK

stmicroelectronics

STL190N4F7AG

MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT

rohm-semi

R8001CND3FRATL

MOSFET N-CH 800V 1A TO252

rohm-semi

R8007AND3FRATL

MOSFET N-CH 800V 7A TO252