Tillverkare Produktnummer:
R8007AND3FRATL
Product Overview
Tillverkare:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Delenummer:
R8007AND3FRATL-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 800V 7A TO252
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 800 V 7A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventarier:
4934 Pcs Ny Original I Lager
12945904
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
R8007AND3FRATL Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
ROHM Semiconductor
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
800 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
1.6Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
850 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
140W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-252
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
R8007
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
846-R8007AND3FRATLCT
846-R8007AND3FRATLTR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
R8002CND3FRATL
MOSFET N-CH 800V 2A TO252
RRR030P03HZGTL
MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
IMBG120R060M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 36A TO263
