Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
IRFUC20PBF
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
IRFUC20PBF-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 2A TO251AA
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 2A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Through Hole TO-251AA
Inventarier:
7 Pcs Ny Original I Lager
12913094
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRFUC20PBF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
350 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 42W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-251AA
Paket / Fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Grundläggande produktnummer
IRFUC20
Datablad och dokument
Datablad
IRFRC20, IRFUC20, SiHFRC20, SiHFUC20
Datasheets
IRFUC20PBF
HTML-Datasheet
IRFUC20PBF-DG
Ytterligare information
Standard-paket
75
Andra namn
*IRFUC20PBF
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
STD2HNK60Z-1
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
3054
DEL NUMMER
STD2HNK60Z-1-DG
ENHETSPRIS
0.51
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
STU2N62K3
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
3000
DEL NUMMER
STU2N62K3-DG
ENHETSPRIS
0.52
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
TK2Q60D(Q)
Tillverkare
Toshiba Semiconductor and Storage
ANTAL TILLGÄNGLIGT
190
DEL NUMMER
TK2Q60D(Q)-DG
ENHETSPRIS
0.28
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRL630STRLPBF
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
SI4858DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
SI4866DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 11A 8SO
SI7315DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8