Tillverkare Produktnummer:
STD2HNK60Z-1
Product Overview
Tillverkare:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Delenummer:
STD2HNK60Z-1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 2A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventarier:
3054 Pcs Ny Original I Lager
12878482
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
STD2HNK60Z-1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
Tube
Serie
SuperMESH™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
4.8Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
280 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
45W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-251 (IPAK)
Paket / Fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Grundläggande produktnummer
STD2HNK60
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
75
Andra namn
497-12783-5
STD2HNK60Z1
STD2HNK60Z-1-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
STWA68N60M6
MOSFET N-CH 600V 63A TO247
STW45NM50FD
MOSFET N-CH 500V 45A TO247-3
STB78NF55-08
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
