IRFU224PBF

Tillverkare Produktnummer:

IRFU224PBF

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

IRFU224PBF-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 250V 3.8A TO251AA

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 250 V 3.8A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Through Hole TO-251AA

Inventarier:

Förfrågan Online

12914599

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

IRFU224PBF Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Vishay

Förpackning

Tube

Serie

-

Produktens status

Active

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

250 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

3.8A (Tc)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

10V

rds på (max) @ id, vgs

1.1Ohm @ 2.3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

14 nC @ 10 V

Vgs (max)

±20V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

260 pF @ 25 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

2.5W (Ta), 42W (Tc)

Drifttemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ av montering

Through Hole

Paket för leverantörsenhet

TO-251AA

Paket / Fodral

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Grundläggande produktnummer

IRFU224

Datablad och dokument

Datablad

IRFR224, IRFU224, SiHFR224, SiHFU224

Datasheets

HTML-Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket

3,000

Andra namn

*IRFU224PBF

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

littelfuse

IXFX90N60X

MOSFET N-CH 600V 90A PLUS247-3

vishay-siliconix

SI2312BDS-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

vishay-siliconix

SI2302ADS-T1

MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3

vishay-siliconix

SI4776DY-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 30V 11.9A 8SO