Tillverkare Produktnummer:
IXFX90N60X
Product Overview
Tillverkare:
IXYS
DiGi Electronics Delenummer:
IXFX90N60X-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 90A PLUS247-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 90A (Tc) 1100W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Inventarier:
12914600
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IXFX90N60X Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Littelfuse
Förpackning
-
Serie
HiPerFET™, Ultra X
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
38mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 8mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
210 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
8500 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1100W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PLUS247™-3
Paket / Fodral
TO-247-3 Variant
Grundläggande produktnummer
IXFX90
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
30
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IXFX100N65X2
Tillverkare
IXYS
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
IXFX100N65X2-DG
ENHETSPRIS
11.71
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
TK62N60X,S1F
Tillverkare
Toshiba Semiconductor and Storage
ANTAL TILLGÄNGLIGT
102
DEL NUMMER
TK62N60X,S1F-DG
ENHETSPRIS
5.71
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
SCT3030ALGC11
Tillverkare
Rohm Semiconductor
ANTAL TILLGÄNGLIGT
10017
DEL NUMMER
SCT3030ALGC11-DG
ENHETSPRIS
21.41
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SI2312BDS-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
SI2302ADS-T1
MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
SI4776DY-T1-GE3
MOSFET N-CHANNEL 30V 11.9A 8SO