Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
IRFI830GPBF
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
IRFI830GPBF-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 500 V 3.1A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventarier:
795 Pcs Ny Original I Lager
12909439
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRFI830GPBF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
500 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
1.5Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
610 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
35W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220-3
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Grundläggande produktnummer
IRFI830
Datablad och dokument
Datablad
IRFI830G
Datasheets
IRFI830GPBF
HTML-Datasheet
IRFI830GPBF-DG
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
*IRFI830GPBF
2266-IRFI830GPBF
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
TK6A50D(STA4,Q,M)
Tillverkare
Toshiba Semiconductor and Storage
ANTAL TILLGÄNGLIGT
50
DEL NUMMER
TK6A50D(STA4,Q,M)-DG
ENHETSPRIS
0.46
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
TK7A50D(STA4,Q,M)
Tillverkare
Toshiba Semiconductor and Storage
ANTAL TILLGÄNGLIGT
35
DEL NUMMER
TK7A50D(STA4,Q,M)-DG
ENHETSPRIS
0.50
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
FDPF5N50FT
Tillverkare
Fairchild Semiconductor
ANTAL TILLGÄNGLIGT
58950
DEL NUMMER
FDPF5N50FT-DG
ENHETSPRIS
0.85
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
TK5A50D(STA4,Q,M)
Tillverkare
Toshiba Semiconductor and Storage
ANTAL TILLGÄNGLIGT
34
DEL NUMMER
TK5A50D(STA4,Q,M)-DG
ENHETSPRIS
0.42
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
FQPF5N50CYDTU
Tillverkare
Fairchild Semiconductor
ANTAL TILLGÄNGLIGT
34713
DEL NUMMER
FQPF5N50CYDTU-DG
ENHETSPRIS
0.72
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRFP26N60LPBF
MOSFET N-CH 600V 26A TO247-3
IXTH24N50
MOSFET N-CH 500V 24A TO247
IRFL110TRPBF
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
RSQ035P03HZGTR
MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6