FQPF5N50CYDTU
Tillverkare Produktnummer:

FQPF5N50CYDTU

Product Overview

Tillverkare:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

FQPF5N50CYDTU-DG

Beskrivning:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 500 V 5A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)

Inventarier:

34713 Pcs Ny Original I Lager
12946545
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

FQPF5N50CYDTU Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
QFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
500 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
625 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
38W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220F-3 (Y-Forming)
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads

Datablad och dokument

Datablad
Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
390
Andra namn
FAIFSCFQPF5N50CYDTU
2156-FQPF5N50CYDTU

Miljö- och exportklassificering

ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8542.39.0001
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
fairchild-semiconductor

FDPF3N50NZ

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

international-rectifier

AUIRF1404ZS

MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK

fairchild-semiconductor

FDH038AN08A1

MOSFET N-CH 75V 22A/80A TO247-3

international-rectifier

2N6787

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N