Tillverkare Produktnummer:
IRFDC20
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
IRFDC20-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 320MA 4DIP
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 320mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Inventarier:
12886023
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRFDC20 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
320mA (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
4.4Ohm @ 190mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
350 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
4-HVMDIP
Paket / Fodral
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Grundläggande produktnummer
IRFDC20
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
*IRFDC20
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
RoHS non-compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IRFDC20PBF
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
5886
DEL NUMMER
IRFDC20PBF-DG
ENHETSPRIS
0.85
Ersättnings typ
Parametric Equivalent
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRF610
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
IRF610L
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO262
IRF624
MOSFET N-CH 250V 4.4A TO220AB
