IRFDC20PBF

Tillverkare Produktnummer:

IRFDC20PBF

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

IRFDC20PBF-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 600V 320MA 4DIP

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 600 V 320mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP

Inventarier:

5886 Pcs Ny Original I Lager

12908571

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

IRFDC20PBF Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Vishay

Förpackning

Tube

Serie

-

Produktens status

Active

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

600 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

320mA (Ta)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

10V

rds på (max) @ id, vgs

4.4Ohm @ 190mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

18 nC @ 10 V

Vgs (max)

±20V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

350 pF @ 25 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

1W (Ta)

Drifttemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ av montering

Through Hole

Paket för leverantörsenhet

4-HVMDIP

Paket / Fodral

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Grundläggande produktnummer

IRFDC20

Datablad och dokument

Datablad

Datasheets

HTML-Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket

100

Andra namn

*IRFDC20PBF

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

littelfuse

IXFK120N25P

MOSFET N-CH 250V 120A TO264AA

vishay-siliconix

IRF9630SPBF

MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK

vishay-siliconix

IRFR214TRRPBF

MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK

littelfuse

IXFR32N80Q3

MOSFET N-CH 800V 24A ISOPLUS247