Tillverkare Produktnummer:
IRFD220
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
IRFD220-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 200V 800MA 4DIP
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 200 V 800mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Inventarier:
12909425
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRFD220 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
800mA (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
800mOhm @ 480mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
260 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
4-HVMDIP
Paket / Fodral
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Grundläggande produktnummer
IRFD220
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
*IRFD220
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
RoHS non-compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IRFD220PBF
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
2880
DEL NUMMER
IRFD220PBF-DG
ENHETSPRIS
0.50
Ersättnings typ
Direct
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRFI830GPBF
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220-3
IRFP26N60LPBF
MOSFET N-CH 600V 26A TO247-3
IXTH24N50
MOSFET N-CH 500V 24A TO247
