IRF614
Tillverkare Produktnummer:

IRF614

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

IRF614-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 250V 2.7A TO220AB
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 250 V 2.7A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventarier:

12885835
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IRF614 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
250 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.7A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
2Ohm @ 1.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
140 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
36W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220AB
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IRF614

Datablad och dokument

Ytterligare information

Standard-paket
1,000
Andra namn
*IRF614

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
RoHS non-compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095

Alternativa modeller

DELNUMMER
IRF614PBF
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
IRF614PBF-DG
ENHETSPRIS
0.62
Ersättnings typ
Direct
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
vishay-siliconix

IRFD9120

MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP

vishay-siliconix

IRF830S

MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK

vishay-siliconix

IRF640STRRPBF

MOSFET N-CH 200V 18A TO263

vishay-siliconix

IRFDC20

MOSFET N-CH 600V 320MA 4DIP