TPH3202PS
Tillverkare Produktnummer:

TPH3202PS

Product Overview

Tillverkare:

Transphorm

DiGi Electronics Delenummer:

TPH3202PS-DG

Beskrivning:

GANFET N-CH 600V 9A TO220AB
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventarier:

Förfrågan Online
13445808
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

TPH3202PS Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Transphorm
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
GaNFET (Gallium Nitride)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
350mOhm @ 5.5A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
9.3 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±18V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
760 pF @ 480 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
65W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220AB
Paket / Fodral
TO-220-3

Datablad och dokument

Datablad
TPH3202P

Ytterligare information

Standard-paket
50

Miljö- och exportklassificering

Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
transphorm

TPH3205WSB

GANFET N-CH 650V 36A TO247-3

transphorm

TPH3208PD

GANFET N-CH 650V 20A TO220AB

transphorm

TPH3206LD

GANFET N-CH 600V 17A PQFN

transphorm

TPH3206PSB

GANFET N-CH 650V 16A TO220AB