Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
TPH3205WSB
Product Overview
Tillverkare:
Transphorm
DiGi Electronics Delenummer:
TPH3205WSB-DG
Beskrivning:
GANFET N-CH 650V 36A TO247-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 36A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventarier:
Förfrågan Online
13445842
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TPH3205WSB Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Transphorm
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
GaNFET (Gallium Nitride)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
60mOhm @ 22A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 700µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 8 V
Vgs (max)
±18V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2200 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
125W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247-3
Paket / Fodral
TO-247-3
Ytterligare information
Standard-paket
180
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
RoHS Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
TK39N60X,S1F
Tillverkare
Toshiba Semiconductor and Storage
ANTAL TILLGÄNGLIGT
30
DEL NUMMER
TK39N60X,S1F-DG
ENHETSPRIS
3.43
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
TP65H050WS
Tillverkare
Transphorm
ANTAL TILLGÄNGLIGT
327
DEL NUMMER
TP65H050WS-DG
ENHETSPRIS
11.35
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
SCT30N120
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
SCT30N120-DG
ENHETSPRIS
14.70
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
IXFH60N65X2
Tillverkare
IXYS
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
IXFH60N65X2-DG
ENHETSPRIS
6.57
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
STW62N65M5
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
600
DEL NUMMER
STW62N65M5-DG
ENHETSPRIS
8.29
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
TPH3208PD
GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
TPH3206LD
GANFET N-CH 600V 17A PQFN
TPH3206PSB
GANFET N-CH 650V 16A TO220AB
TPH3206LS
GANFET N-CH 600V 17A PQFN