Tillverkare Produktnummer:
TPN11003NL,LQ
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
TPN11003NL,LQ-DG
Beskrivning:
MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 11A (Tc) 700mW (Ta), 19W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Inventarier:
2619 Pcs Ny Original I Lager
12891204
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TPN11003NL,LQ Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVIII-H
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
11mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 100µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
660 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
700mW (Ta), 19W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Paket / Fodral
8-PowerVDFN
Grundläggande produktnummer
TPN11003
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
TPN11003NLLQCT
TPN11003NL,LQ(S
TPN11003NLLQDKR
TPN11003NLLQTR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
RoHS Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
RQ3E120GNTB
Tillverkare
Rohm Semiconductor
ANTAL TILLGÄNGLIGT
11286
DEL NUMMER
RQ3E120GNTB-DG
ENHETSPRIS
0.14
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SSM6J214FE(TE85L,F
MOSFET P-CH 30V 3.6A ES6
TPC8032-H(TE12LQM)
MOSFET N-CH 30V 15A 8SOP
TK18A50D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 500V 18A TO220SIS