RQ3E120GNTB
Tillverkare Produktnummer:

RQ3E120GNTB

Product Overview

Tillverkare:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

RQ3E120GNTB-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 12A (Ta) 2W (Ta), 16W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)

Inventarier:

11286 Pcs Ny Original I Lager
13527396
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

RQ3E120GNTB Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
ROHM Semiconductor
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
8.8mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
590 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2W (Ta), 16W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-HSMT (3.2x3)
Paket / Fodral
8-PowerVDFN
Grundläggande produktnummer
RQ3E120

Datablad och dokument

Datablad
RQ3E120GNTB HSMT8 TB Taping Spec

Ytterligare information

Standard-paket
3,000
Andra namn
RQ3E120GNTBTR
RQ3E120GNTBCT
RQ3E120GNTBDKR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
rohm-semi

RQ3E110AJTB

MOSFET N-CH 30V 11A/24A 8HSMT

rohm-semi

RF6E065BNTCR

MOSFET N-CH 30V 6.5A TUMT6

rohm-semi

RQ6E050AJTCR

MOSFET N-CH 30V 5A TSMT6

rohm-semi

RCX160N20

MOSFET N-CH 200V 16A TO220FM