Tillverkare Produktnummer:

TPH2R903PL,L1Q

Product Overview

Tillverkare:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Delenummer:

TPH2R903PL,L1Q-DG

Beskrivning:

PB-FPOWERMOSFETTRANSISTORSOP8-AD

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 30 V 70A (Tc) 960mW (Ta), 81W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)

Inventarier:

4970 Pcs Ny Original I Lager

12988680

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

TPH2R903PL,L1Q Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Förpackning

Tape & Reel (TR)

Serie

U-MOSIX-H

Produktens status

Active

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

30 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

70A (Tc)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

4.5V, 10V

rds på (max) @ id, vgs

2.9mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.1V @ 200µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

26 nC @ 10 V

Vgs (max)

±20V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

2300 pF @ 15 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

960mW (Ta), 81W (Tc)

Drifttemperatur

175°C

Typ av montering

Surface Mount

Paket för leverantörsenhet

8-SOP Advance (5x5)

Paket / Fodral

8-PowerVDFN

Datablad och dokument

Datablad

Ytterligare information

Standard-paket

5,000

Andra namn

264-TPH2R903PL,L1QTR-DG

264-TPH2R903PLL1QTR

264-TPH2R903PL,L1QCT

264-TPH2R903PL,L1QTR

264-TPH2R903PLL1QTR-DG

264-TPH2R903PL,L1QDKR

Miljö- och exportklassificering

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

infineon-technologies

IPW65R125CFD7XKSA1

HIGH POWER_NEW

TK7A80W,S4X

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-

S2M0025120D

MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

TK8A25DA,S4X

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-