Tillverkare Produktnummer:
TK7A80W,S4X
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
TK7A80W,S4X-DG
Beskrivning:
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 800 V 6.5A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventarier:
50 Pcs Ny Original I Lager
12988686
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TK7A80W,S4X Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tube
Serie
DTMOSIV
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
800 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6.5A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
950mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 280µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
700 pF @ 300 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
35W (Tc)
Drifttemperatur
150°C
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220SIS
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
264-TK7A80W,S4X
264-TK7A80WS4X
264-TK7A80W,S4X-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
S2M0025120D
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
TK8A25DA,S4X
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
BSS138WT106
NCH 60V 310MA, SOT-323, SMALL SI