Tillverkare Produktnummer:
TPH2R506PL,L1Q
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
TPH2R506PL,L1Q-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 132W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Inventarier:
4636 Pcs Ny Original I Lager
12890674
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TPH2R506PL,L1Q Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSIX-H
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
4.4mOhm @ 30A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 500µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5435 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
132W (Tc)
Drifttemperatur
175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-SOP Advance (5x5)
Paket / Fodral
8-PowerVDFN
Grundläggande produktnummer
TPH2R506
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
5,000
Andra namn
TPH2R506PLL1Q
TPH2R506PLL1QDKR
TPH2R506PLL1QTR
TPH2R506PL,L1Q(M
TPH2R506PLL1QCT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
RoHS Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
TK5Q60W,S1VQ
MOSFET N CH 600V 5.4A IPAK
TK10A60E,S5X
MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
TPH6R004PL,LQ
MOSFET N-CH 40V 87A/49A 8SOP