Tillverkare Produktnummer:
TK11A65W,S5X
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
TK11A65W,S5X-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 11.1A TO220SIS
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 11.1A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventarier:
81 Pcs Ny Original I Lager
12890684
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TK11A65W,S5X Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tube
Serie
DTMOSIV
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11.1A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
390mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 450µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
890 pF @ 300 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
35W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220SIS
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack
Grundläggande produktnummer
TK11A65
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
TK11A65WS5X
TK11A65W,S5X(M
TK11A65W,S5X-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
TK11A45D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 450V 11A TO220SIS
TPCA8010-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 200V 5.5A 8SOP
SSM6G18NU,LF
MOSFET P-CH 20V 2A 6UDFN