Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
TK9A60D(STA4,Q,M)
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
TK9A60D(STA4,Q,M)-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 9A TO220SIS
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 9A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventarier:
44 Pcs Ny Original I Lager
12890912
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TK9A60D(STA4,Q,M) Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tube
Serie
π-MOSVII
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
830mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1200 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
45W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220SIS
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack
Grundläggande produktnummer
TK9A60
Datablad och dokument
Datablad
TK9A60D
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
TK9A60DSTA4QM
TK9A60D(STA4QM)
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
FDPF12N60NZ
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
174
DEL NUMMER
FDPF12N60NZ-DG
ENHETSPRIS
0.90
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
STF9NM60N
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1359
DEL NUMMER
STF9NM60N-DG
ENHETSPRIS
1.11
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
IRFIB6N60APBF
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
900
DEL NUMMER
IRFIB6N60APBF-DG
ENHETSPRIS
1.71
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
IRFIB5N65APBF
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
927
DEL NUMMER
IRFIB5N65APBF-DG
ENHETSPRIS
1.83
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
R6007KNX
Tillverkare
Rohm Semiconductor
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
R6007KNX-DG
ENHETSPRIS
1.02
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
TK290P65Y,RQ
MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK
SSM3K35MFV,L3F
MOSFET N-CH 20V 180MA VESM
TPN5900CNH,L1Q
MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON
TK10A60W,S4VX
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS