Tillverkare Produktnummer:
TK290P65Y,RQ
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
TK290P65Y,RQ-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 11.5A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventarier:
12890913
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TK290P65Y,RQ Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
DTMOSV
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11.5A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
290mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 450µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
730 pF @ 300 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
100W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
DPAK
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
TK290P65
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
2,000
Andra namn
TK290P65Y,RQ(S
TK290P65YRQDKR
TK290P65YRQCT
TK290P65YRQTR
TK290P65YRQ(S
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SSM3K35MFV,L3F
MOSFET N-CH 20V 180MA VESM
TPN5900CNH,L1Q
MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON
TK10A60W,S4VX
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
