Tillverkare Produktnummer:
TK6R7A10PL,S4X
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
TK6R7A10PL,S4X-DG
Beskrivning:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 56A (Tc) 42W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventarier:
61 Pcs Ny Original I Lager
12920879
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TK6R7A10PL,S4X Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
56A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
6.7mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 500µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3455 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
42W (Tc)
Drifttemperatur
175°C
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220SIS
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack
Grundläggande produktnummer
TK6R7A10
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
264-TK6R7A10PLS4X
TK6R7A10PL,S4X(S
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
TK17V65W,LQ
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TPH1R306PL,L1Q
MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
TK62Z60X,S1F
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR