Tillverkare Produktnummer:
TK17V65W,LQ
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
TK17V65W,LQ-DG
Beskrivning:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 17.3A (Ta) 156W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
Inventarier:
14 Pcs Ny Original I Lager
12920880
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TK17V65W,LQ Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
17.3A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
210mOhm @ 8.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 900µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1800 pF @ 300 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
156W (Tc)
Drifttemperatur
150°C
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
4-DFN-EP (8x8)
Paket / Fodral
4-VSFN Exposed Pad
Grundläggande produktnummer
TK17V65
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
264-TK17V65WLQDKR
264-TK17V65WLQTR
TK17V65W,LQ(S
264-TK17V65WLQCT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
TPH1R306PL,L1Q
MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
TK62Z60X,S1F
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TPH1R405PL,L1Q
MOSFET N-CH 45V 120A 8SOP
