Tillverkare Produktnummer:
TK5R1A08QM,S4X
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
TK5R1A08QM,S4X-DG
Beskrivning:
UMOS10 TO-220SIS 80V 5.1MOHM
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 80 V 70A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventarier:
66 Pcs Ny Original I Lager
12965605
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TK5R1A08QM,S4X Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tube
Serie
U-MOSX-H
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
80 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
5.1mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 700µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3980 pF @ 40 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
45W (Tc)
Drifttemperatur
175°C
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220SIS
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
264-TK5R1A08QMS4X
264-TK5R1A08QM,S4X-DG
264-TK5R1A08QM,S4X
TK5R1A08QM,S4X(S
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
R6520KNX3C16
650V 20A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
IGT60R070D1ATMA4
GANFET N-CH
IGLD60R070D1AUMA3
GANFET N-CH
